בתהליך העיבוד של שבבי SiC, השבבים עצמם אינם מתאימים לשימוש בכטלוגרפים רגילים. יש צורך בחימום מהיר ואחיד, בלי לעבור את הגבולות התרמיים של השבב. כאשר האחידות התרמית אינה מספיקה, עלולים להופיע בעיות כמו חריצים בשטח השבב, שינויים בפרופיל השבב, ובעיות אחרות שניתן לגלות רק לאחר שעות רבות של בדיקה.
מה חשוב מבחינה טכנית? אנו משתמשים במנורות חימום שמשתמשות בקרינת אינפרא-אדום קצרת גל בכדי לחמם את השבב בדיוק במקומות הנכונים – על פני השבב עצמו – מבלי לחמם את המכשירים האחרים או את קירות החדר. התגובה של המנורה היא בתוך שניות, והאחידות התרמית נשמרת בטווח של ±0.1°C בכל אזור העיבוד. בפועל, זה מאפשר שליטה טובה יותר בממדים החשובים של השבב, ומאפשר תוצאות אחידות לאחר העיבוד.
המנורה יכולה לפעול בחדרים נקיים מסוג Class 1–100. היא לא יוצרת שום חלקיקים, והמסלול האופטי הסגור מונע זיהום. הפלט של המנורה נשאר יציב לאורך יותר מ-5,000 שעות, עם ירידה של פחות מ-5%. כך ניתן להשתמש במנורה 24/7, בלי הפסקות בלתי צפויות.
למה זה עובד טוב עם שבבי SiC? עיבוד שבבי SiC דורש דיוק רב: יש צורך בהעברת אנרגיה מהירה ויעילה, והשבבים עצמם שקופים. חימום באמצעות קרינת אינפרא-אדום מקצר את זמן העיבוד, מכיוון שהאנרגיה מועברת ישירות, ללא הפסדים. זה מאפשר זמן עיבוד קצר יותר, ומאפשר שליטה טובה יותר בממדים של השבב.
מה צריך לדעת מראש? ההתקנה כוללת כיוון נכון של המנורה ביחס לגאומטריה של השבב. המנורה מותאמת לשבבי SiC בגדלים 150 ממ ו-200 ממ; אם משתמשים בשבבים בגודל 300 ממ, יש צורך להתאים מחדש את המנורה לשטח הגדול יותר.
יש לבצע תהליך כיוון קצר כדי להתאים את עוצמת החימום ואת זמן החימום לשבב הספציפי. לאחר שהכל מותאם, התהליך ניתן לחזרה – אך כמובן, ההגדרות הראשוניות הן חלק מהעבודה.