Dalam proses pengolahan wafer SiC, wafer tersebut tidak cocok digunakan dengan pemanas biasa. Proses pemanggangan, pengeringan, dan pengerasan lapisan permukaan wafer membutuhkan panas yang diberikan secara cepat dan merata, tanpa membuat suhu wafer melebihi batasnya. Jika keseimbangan suhu tidak terjaga, maka akan terjadi perubahan bentuk permukaan wafer, sehingga kualitas produk menjadi buruk, dan hal ini baru akan diketahui setelah beberapa jam setelah proses pengolahan selesai.
Apa yang penting secara teknis? Kami menggunakan lampu pemanas khusus untuk memproses wafer SiC, yang menggunakan sinar inframerah berfrekuensi rendah untuk menghasilkan panas tepat di area yang dibutuhkan—yaitu pada permukaan wafer—tanpa memanaskan bagian lainnya. Responsnya sangat cepat, yaitu dalam hitungan detik, dan keseimbangan suhu di seluruh permukaan wafer tetap stabil, dalam rentang ±0,1°C. Dengan demikian, kontrol dimensi permukaan wafer tetap akurat, sehingga hasil pengolahan menjadi konsisten setelah proses litografi.
Lampu ini dapat digunakan di ruang bersih kelas 1–100. Desainnya memungkinkan tidak adanya partikel yang dihasilkan, dan jalur optik yang tertutup mencegah kontaminasi. Daya outputnya tetap stabil selama lebih dari 5.000 jam, dengan penurunan daya kurang dari 5%. Dengan demikian, proses pengolahan dapat dilakukan 24/7 tanpa gangguan.
Mengapa hal ini efektif untuk SiC? Proses pengolahan SiC membutuhkan ketelitian yang tinggi: konduktivitas termal yang tinggi, lapisan yang tipis, serta batasan-batasan tertentu yang tidak memungkinkan kesalahan. Pemanasan menggunakan sinar inframerah mempersingkat waktu pemanggangan dan pengeringan, karena energi dipindahkan secara langsung, bukan melalui konduksi. Hal ini mengurangi waktu antara proses pelapisan dan proses eksposur, serta menghindarkan penggunaan energi yang berlebihan akibat pemanasan menggunakan pemanas biasa.
Untuk proses pemanggangan ringan, lampu ini dapat dengan cepat menguapkan pelarut, sambil menjaga suhu permukaan wafer tetap terkendali. Untuk proses pemanggangan dan pengeringan yang lebih intensif, lampu ini dapat mengikat molekul-molekul dalam lapisan resisten, tanpa menyebabkan pemanasan berlebihan pada lapisan di bawahnya. Hasilnya adalah proses pengolahan yang lebih cepat, kontrol kualitas yang lebih baik, dan jumlah produk yang gagal diminimalkan.
Apa yang perlu diketahui terlebih dahulu? Pemasangan lampu ini memerlukan penyesuaian posisi optik agar sesuai dengan geometri wafer. Lampu ini dirancang untuk digunakan pada wafer berukuran 150 mm dan 200 mm; jika digunakan pada wafer berukuran 300 mm, maka penyesuaian optik dan kontrol zona perlu dilakukan agar sesuai dengan luas permukaan wafer yang lebih besar.
Butuh waktu singkat untuk menyetel kekuatan cahaya dan waktu pemanasan yang tepat untuk jenis resisten yang digunakan. Setelah itu, proses pengolahan akan menjadi konsisten. Namun, persiapan awal merupakan bagian dari pekerjaan yang perlu dilakukan.