Op het productieproces werken SiC-wafers niet goed samen met standaardverwarmingspanelen. Zowel het zacht bakken als het hard bakken vereisen dat de hitte snel en gelijkmatig wordt toegepast, zonder dat de wafel zijn thermische limieten overschrijdt. Als de temperatuurongelijkheid te groot wordt, ontstaan er problemen als oneffenheden op de randen van de wafel en afwijkingen in het profiel. Deze problemen worden pas later, na medische controles, ontdekt.
Wat technisch gezien belangrijk is We gebruiken een verwarmer die infrarode straling gebruikt om de hitte precies op de juiste plek te brengen – op het oppervlak van de wafel – zonder dat de transportmiddelen of de wanden van de kamer worden opgewarmd. De reactietijd is minder dan een seconde, en de temperatuurongelijkheid blijft binnen ±0,1°C over het actieve gebied van de wafel. Hierdoor blijft de controle over de belangrijkste dimensies consistent, waardoor je reproduceerbare resultaten krijgt na de lithografie.
De lamp kan gemakkelijk worden geplaatst in zuiverruimtes van klasse 1–100. Hij genereert geen deeltjes en door de gesloten optische weg blijft de wafel schoon. De output blijft stabiel gedurende meer dan 5.000 uur, met minder dan 5% daling. Hierdoor kan de machine 24/7 draaien, zonder onverwachte stilstand.
Waarom dit werkt voor SiC Het verwerken van SiC vereist veel precisie: hoge thermische geleidbaarheid, dunne lagen en strikte regels voor de dikte van de lagen. Infraroodverwarming verkort de tijd die nodig is om de wafel te verhitten, omdat de energie rechtstreeks wordt overgedragen. Hierdoor hoef je niet lang te wachten tussen het aanbrengen van de laag en het belichten. Bovendien wordt de energieverbruik verminderd, omdat er geen grote verwarming nodig is.
Bij zacht bakken verwarmt de lamp de oplosmiddelen snel, terwijl de oppervlaktetemperatuur onder controle blijft. Hierdoor ontstaan er geen oneffenheden op het oppervlak van de wafel. Bij hard bakken en curing worden de lagen met elkaar verbonden, zonder dat de onderliggende lagen te heet worden. Het resultaat is een snellere productie, betere processcontrole en minder afgewerkte producten.
Wat je van tevoren moet weten Voor de installatie is het belangrijk om de juiste afstand tussen de lamp en de wafel te bepalen, evenals het juiste straalpatroon. De lamp is afgestemd op SiC-wafels van 150 mm en 200 mm. Als je werkt met wafels van 300 mm, moeten de optica’s en de controlemechanismen worden aangepast aan het grotere oppervlak.
Er zal eerst een korte testperiode nodig zijn om de juiste stroomsterkte en tijd vast te stellen. Una fois dit is gedaan, kan het proces worden herhaald. Maar ja, de initiële instellingen maken ook deel uit van het werk.