Dalam proses pemprosesan wafer SiC, wafer tersebut tidak boleh digunakan bersama dengan plat pemanas biasa. Proses pembakaran, proses pengerasan, dan proses penyembuhan selepas itu memerlukan haba yang diberikan secara cepat dan seragam, tanpa menyebabkan suhu wafer melebihi had yang ditetapkan. Jika keseragaman suhu terjejas, ia akan menyebabkan masalah seperti benjolan pada tepi wafer, perubahan bentuk wafer, dan hasil pengeluaran yang tidak konsisten, yang hanya akan dapat dikenal pasti setelah beberapa jam.
Apa yang penting dari segi teknikal
Kami menggunakan lampu pemanas khusus untuk pemprosesan wafer SiC yang menggunakan sinar inframerah berpanjang gelombang pendek untuk menghantar haba ke tempat yang tepat – iaitu pada permukaan wafer – tanpa memanaskan komponen lain atau dinding bilik pemprosesan. Masa tindak balasnya adalah dalam masa beberapa saat sahaja, dan keseragaman suhu pada permukaan wafer kekal antara ±0.1°C. Dengan cara ini, kawalan dimensi kritikal wafer dapat dipertahankan, dan hasil pengeluaran menjadi lebih konsisten setelah proses litografi selesai.
Lampu ini sesuai digunakan dalam bilik bersih kelas 1–100. Ia tidak menghasilkan sebarang zarah, dan laluan cahaya yang tertutup membantu mencegah pencemaran. Pengeluaran tenaga lampu tetap stabil walaupun digunakan selama lebih dari 5,000 jam, dengan penurunan kurang daripada 5%. Oleh itu, ia boleh digunakan 24/7 tanpa gangguan yang tidak dijangka.
Mengapa kaedah ini berkesan untuk SiC
Proses pemprosesan SiC memerlukan ketepatan yang tinggi: konduktiviti termal yang tinggi, lapisan yang nipis, dan batasan tertentu yang tidak membenarkan sebarang kesilapan. Pemanasan menggunakan sinar inframerah memendekkan masa proses pembakaran dan penyembuhan, kerana tenaga disalurkan secara langsung, bukan melalui konduksi. Ini membolehkan proses berlangsung lebih cepat, dan mengurangkan penggunaan tenaga berbanding menggunakan plat pemanas biasa.
Untuk proses pembakaran lembut, lampu ini dapat menghilangkan bahan pelarut dengan cepat sambil mengekalkan suhu permukaan wafer pada tahap yang stabil. Untuk proses pembakaran keras dan penyembuhan, lampu ini dapat menghubungkan lapisan-lapisan tersebut tanpa memanaskan lapisan di bawahnya. Kelebihannya ialah kelajuan proses yang lebih tinggi, kawalan proses yang lebih baik, dan jumlah produk yang rosak yang lebih sedikit.
Apa yang perlu diketahui terlebih dahulu
Pemasangan lampu ini memerlukan penyesuaian yang tepat terhadap geometri wafer. Lampu ini direka untuk digunakan pada wafer SiC berukuran 150 mm dan 200 mm. Jika digunakan pada wafer berukuran 300 mm, maka sistem optik dan kawalan zon perlu disesuaikan semula agar sesuai dengan ukuran wafer yang lebih besar.
Anda perlu melakukan ujian awal untuk menetapkan kekuatan tenaga dan masa yang diperlukan untuk proses pemprosesan. Setelah itu, proses pemprosesan dapat dilakukan secara berulang-ulang. Namun, persiapan awal merupakan sebahagian daripada proses pemprosesan itu sendiri.