Sul campo di produzione, i wafer in SiC non sono compatibili con le piastre riscaldanti tradizionali. Per procedimenti di cottura delicata o intensiva, nonché per la fase di essiccazione successiva, è necessario un riscaldamento rapido e uniforme, senza che la temperatura superi i limiti consentiti dal wafer stesso. Quando l’uniformità della temperatura diminuisce, si verificano problemi come imperfezioni sulla superficie del wafer e scostamenti nel profilo dello stesso; tali problemi vengono rilevati soltanto dopo ore di analisi metrica.
Ciò che è importante dal punto di vista tecnico
Utilizziamo dei fornitori di calore appositi per il trattamento dei wafer in SiC, che utilizzano radiazioni infrarosse a breve lunghezza d’onda per trasferire il calore direttamente sulla superficie del wafer, senza riscaldare i componenti circostanti o le pareti della camera di lavorazione. La risposta del sistema è istantanea, e l’uniformità della temperatura rimane entro ±0,1°C nell’area attiva del wafer. In pratica, questo permette di mantenere sotto controllo le dimensioni critiche del wafer e di ottenere risultati ripetibili anche dopo la litografia.
Il dispositivo può essere installato tranquillamente in stanze pulite di classe 1–100. Non genera alcuna particella durante il funzionamento, e il percorso ottico sigillato previene eventuali contaminazioni. L’output rimane stabile per oltre 5.000 ore, con una diminuzione inferiore al 5%, quindi è possibile utilizzare il dispositivo 24/7 senza interruzioni impreviste.
Perché questo sistema funziona bene per i wafer in SiC
Il trattamento dei wafer in SiC richiede precisione estrema: alta conduzione termica, film sottili, e limiti rigidi per quanto riguarda gli errori possibili. Il riscaldamento a onde infrarosse riduce i tempi di cottura ed essiccazione, poiché l’energia viene trasmessa direttamente, senza bisogno di meccanismi di conduzione termica. Inoltre, si evita il consumo energetico legato al riscaldamento preventivo delle piastre riscaldanti.
Per i processi di cottura delicata, il dispositivo permette di eliminare rapidamente i solventi presenti sulla superficie del wafer, mantenendo al contempo la temperatura sotto controllo. Per i processi di cottura intensiva, invece, il dispositivo permette di collegare tra loro i vari strati del wafer, senza surriscaldare gli strati sottostanti. Il risultato è un aumento dell’efficienza produttiva, migliori condizioni di processo e meno prodotti scartati.
Cosa è necessario sapere in anticipo
L’installazione del dispositivo richiede che vengano impostati correttamente i parametri ottici in base alla geometria del wafer. Il dispositivo è progettato per wafer di dimensioni 150 mm e 200 mm; se si utilizzano wafer di dimensioni 300 mm, è necessario regolare nuovamente i parametri ottici in base alla maggiore area da trattare.
Si prevede un periodo di collaudo breve per impostare correttamente la densità di potenza e il tempo di trattamento. Una volta configurato correttamente il dispositivo, il processo diventa ripetibile. Tuttavia, la configurazione iniziale fa parte dei lavori necessari per l’uso effettivo del dispositivo.