Вафля on Warm IR Heater Warehouse

Поток испарения для выпуклостей на пластинке

Sun, 21 Jun 2026 01:44:38 +0800

На линиях обработки пластин диаметром 300 мм остатки флюкса после формирования выступов на поверхности пластины представляют собой не просто источник загрязнений. Это своего рода «бомба ненадежности», готовая взорваться в любой момент. Неполное испарение флюкса приводит к образованию пустот и соединениям между элементами пластины; в результате увеличивается количество бракованных изделий, а температурный режим работы устройства выходит за заданные параметры. Мы разработали эту систему для того, чтобы устранять такие проблемы уже на самом начальном этапе.

Что действительно важно Устройство обеспечивает быстрое и контролируемое испарение флюкса с использованием коротковолнового инфракрасного излучения. Температура на всей поверхности пластины остается постоянной — ±0,1°C. Кварцевые излучатели обеспечивают чистое тепло без образования частиц. Система выпуска газов соответствует стандартам чистых помещений класса 1–100, что исключает возможность попадания загрязнений в камеру.

Лампа для нагрева при обработке пластин из SiC

Fri, 19 Jun 2026 01:38:16 +0800

При обработке пластин из СиЛиС они плохо справляются с обычными нагревательными устройствами. Для процедур мягкой и твердой обработки, а также для последующей стабилизации свойств материала необходим высокая температура, которая должна распределяться равномерно, без превышения допустимых значений температуры для пластины. Если температура распределяется неравномерно, возникают проблемы с поверхностью пластины, что проявляется лишь спустя некоторое время после завершения процесса.

Что имеет значение с технической точки зрения Мы используем лампы для нагрева пластин из СиЛиС, которые работают в диапазоне коротковолнового инфракрасного излучения. Это позволяет направлять тепло именно на поверхность пластины, не нагревая при этом другие элементы установки. Время реакции составляет менее секунды, а равномерность температуры на поверхности пластины сохраняется в пределах ±0,1°C. Это обеспечивает точный контроль размеров пластины и возможность получения стабильных результатов после процедуры литографии.

Элемент нагрева для оксидации ваферов

Wed, 17 Jun 2026 10:54:47 +0800

На производственной площадке температурный режим в печи для оксидации определяет критерии качества оксидного слоя на всей площади кристалла. Даже небольшое изменение температуры в 1°C может привести к тому, что готовый продукт станет бракованным. Мы разработали специальные нагревательные элементы для процесса оксидации кристаллов, чтобы устранить такую нестабильность.

Что имеет значения с технической точки зрения
Сердцем конструкции является массив кварцево-галогенных ламп, которые направляют энергию коротких волн прямо на кристалл. Это обеспечивает температурную однородность в пределах ±0,1°C на всей поверхности кристалла.

Производитель сушилок для пластин в Китае

Sun, 07 Jun 2026 00:55:13 +0800

На производственном участке мягкий прогрев при 110°C с отклонением ±1,5°C — это не просто параметр, а потенциальная точка потерь выхода продукции. Следы воды, нарастание кромки, обрушение рисунка — эти дефекты начинаются с момента сбоя температурного контроля. Вам нужен сушильный аппарат, который рассматривает пластину как тепловую граничную задачу, а не просто как партию для пропуска.

Мы строим сушильные установки для пластин на основе повторяемого теплообмена и контроля загрязнений. Основой служит коротковолновое инфракрасное излучение — быстрое и направленное, совмещённое с кварцево изолированной камерой, которая поддерживает генерацию частиц на базовом уровне. Температурное равномерное распределение по поверхности пластины удерживается в пределах ±0,1°C, а стабильность установленного значения — ±0,2°C в течение длительных прогревов. Управление рецептами фиксирует время и температуру, чтобы поведение фоторезиста оставалось одинаковым от партии к партии. Система сертифицирована для класса чистоты помещений 1–100, оснащена HEPA-фильтрованным вытяжным блоком, и материалы подобраны для недопущения демпфирования.