Heaterlamp voor SiC wafelbewerking

Fri, 19 Jun 2026 01:38:16 +0800

Op het productieproces werken SiC-wafers niet goed samen met standaardverwarmingspanelen. Zowel het zacht bakken als het hard bakken vereisen dat de hitte snel en gelijkmatig wordt toegepast, zonder dat de wafel zijn thermische limieten overschrijdt. Als de temperatuurongelijkheid te groot wordt, ontstaan er problemen als oneffenheden op de randen van de wafel en afwijkingen in het profiel. Deze problemen worden pas later, na medische controles, ontdekt.

Wat technisch gezien belangrijk is We gebruiken een verwarmer die infrarode straling gebruikt om de hitte precies op de juiste plek te brengen – op het oppervlak van de wafel – zonder dat de transportmiddelen of de wanden van de kamer worden opgewarmd. De reactietijd is minder dan een seconde, en de temperatuurongelijkheid blijft binnen ±0,1°C over het actieve gebied van de wafel. Hierdoor blijft de controle over de belangrijkste dimensies consistent, waardoor je reproduceerbare resultaten krijgt na de lithografie.

SiC on Warm IR Heater Warehouse

Heaterlamp voor SiC wafelbewerking