Wafer on Warm IR Heater Warehouse

Penderia IR yang tepat untuk wafer

Wed, 29 Jul 2026 02:40:54 +0800

Mengapa kita beralih kepada kaedah pengeringan menggunakan gelombang inframerah di kilang pembuatan wafer

Peralihan daripada kaedah pengeringan menggunakan pelarut kepada kaedah pengeringan menggunakan gelombang inframerah bukan sekadar trend semasa. Sebenarnya, ia merupakan prinsip fizik yang mudah difahami.

Daripada memanaskan seluruh bilik hanya untuk mengeringkan wafer yang berukuran kecil, kita menggunakan sensor dan pemancar gelombang inframerah untuk mempengaruhi getaran molekul dalam lapisan pelindung wafer tersebut. Dengan cara ini, tenaga dapat diarahkan tepat ke tempat yang diperlukan. Oleh itu, kita tidak perlu lagi menggunakan bahan katalis kimia atau bahan penstabil yang mengandungi plumbum yang sering digunakan dalam kaedah pengeringan tradisional.

Pembalik cahaya untuk lampu pengeringan wafer

Tue, 28 Jul 2026 02:32:18 +0800

Pemanasan IR berbanding udara panas: Hentikan pembaziran masa semasa proses pengeringan wafer

Jika anda masih bergantung pada sistem pemanasan udara untuk pemprosesan semikonduktor, anda sebenarnya sedang membuang masa secara sia-sia.

Masalahnya ialah udara tidak begitu efektif dalam menghantar haba. Apabila menggunakan kaedah konveksi paksa, anda perlu memanaskan udara terlebih dahulu, kemudian bilik pemprosesan, dan akhirnya wafer itu sendiri. Proses ini sangat perlahan. Kelewatan ini akan mengurangkan kelajuan pengeluaran anda.

Elakkan penggunaan udara sebagai medium pemanasan
Itulah sebabnya kita menggunakan lampu IR. Daripada menunggu udara menjadi panas, lampu IR menghantar radiasi elektromagnetik terus ke permukaan wafer. Ini membolehkan proses pemanasan berlaku dengan cepat. Kita juga menggunakan reflektor khusus untuk memastikan tenaga tersebut disalurkan ke tempat yang betul. Dengan cara ini, mesin tidak perlu dipanaskan secara berlebihan. Suhu yang diinginkan dapat dicapai dalam masa beberapa saat sahaja. Dengan tidak perlu menunggu proses pemanasan selesai, kelajuan pengeluaran akan meningkat.

Pemanas untuk mengeringkan wafer sensor MEMS

Fri, 24 Jul 2026 08:52:49 +0800

Cara Memastikan Wafer MEMS Kering dengan Betul
Ketika menghasilkan sensor MEMS, membuang kelembapan daripada wafer merupakan proses yang agak rumit. Wafer perlu dikeringkan sepenuhnya, tetapi kita tidak boleh menggunakan haba yang berlebihan, kerana ia akan merosakkan substrat tersebut atau meninggalkan sisa-sisa yang tidak diinginkan.

Inilah di mana pemanas inframerah kami berguna. Kami menggunakan lampu kuarsa berintensiti tinggi yang mampu mengeringkan permukaan wafer dalam masa beberapa saat sahaja. Ia sangat cepat.

Keseimbangan Antara Kuasa dan Haba
Perlu diingat bahawa kita tidak boleh sekadar meningkatkan kuasa pemanas tanpa memikirkan akibatnya. Jika berbuat begitu, permukaan wafer akan menjadi terlalu panas dan rosak.

Pemanas wafer yang cekap dari segi penggunaan tenaga

Sat, 18 Jul 2026 01:42:44 +0800

Hentikan penggunaan kaedah pemanasan biasa… dan gunakan kaedah pemanasan yang lebih efektif.

Jika anda pernah menggunakan kaedah pemanasan konvensional, anda pasti tahu masalahnya. Anda cuba memanaskan wafer tersebut, tetapi sebenarnya seluruh ruang dalaman mesin juga menjadi panas. Ini merupakan pembaziran tenaga, dan ia sangat menyusahkan. Tiada siapa yang suka berhadapan dengan dinding mesin yang menjadi terlalu panas sehingga sukar untuk disentuh.

Kami telah mencari cara yang lebih baik. Daripada memanaskan udara di sekeliling wafer, kami menggunakan lampu inframerah yang berkesan.
Cara kerjanya: Lampu ini mengeluarkan radiasi elektromagnetik secara langsung ke arah wafer. Kerana kita menggunakan gelombang inframerah yang pendek, tenaga tersebut akan sampai ke bahan wafer tanpa mempengaruhi udara di sekelilingnya. Hasilnya, wafer akan mendapat haba yang diperlukan, sementara permukaan luar mesin tetap sejuk.

Penderia suhu untuk alat pemprosesan wafer

Sat, 11 Jul 2026 04:03:25 +0800

Hentikan alat pemanasan wafer daripada terlalu panas

Pernahkah anda perhatikan bagaimana cara pemanasan inframerah biasa menyebabkan seluruh kawasan menjadi terlalu panas? Ia sama seperti cuba menyalakan lilin menggunakan alat pemadam api. Anda ingin agar wafer menjadi panas, tetapi sebaliknya, seluruh ruang vakum akan menyerap semua tenaga haba tersebut.

Haba yang berlebihan ini merupakan masalah besar. Ia akan menjadikan badan alat tersebut menjadi penyerap haba yang sangat efektif, sehingga menyebabkan perubahan suhu yang tidak diinginkan. Yang lebih buruk lagi, ia boleh menyebabkan kecederaan pada orang-orang yang bekerja di bengkel tersebut.

Jarak keselamatan untuk memanaskan wafer

Fri, 10 Jul 2026 01:18:27 +0800

Mengekalkan Keselamatan Semasa Memanaskan Wafer di Zon Berbahaya
Sejujurnya, memanaskan wafer di zon pembersihan kimia sama saja seperti bermain dengan api. Apabila terdapat wap mudah terbakar di sekeliling, sedikit percikan api atau masalah termal yang tidak terkawal boleh menyebabkan bencana.

Untuk mengelakkan perkara ini daripada berlaku, kami berhenti menggunakan lampu jenis biasa. Sebaliknya, kami beralih kepada sistem inframerah yang dilindungi oleh lapisan khas. Inilah cara ia berfungsi.

Rahsianya terletak pada lapisan pelindung
Kami tidak membiarkan tiub kuarsa tersebut terdedah kepada udara. Itu merupakan tindakan yang berisiko. Lampu-lampu kami dilindungi oleh lapisan kuarsa atau safir berkualiti tinggi. Ia berfungsi sebagai lapisan pelindung yang melindungi filamen elektrik daripada sentuhan udara. Ini juga membantu menghalang bahan kimia berbahaya daripada merosakkan komponen dalaman lampu. Kami juga menggunakan lapisan pelindung di bahagian elektrod. Mengapa? Kerana jika bahan kimia meresap ke dalam kabel, ia akan merosakkan kabel tersebut dengan cepat.

Pengewapan fluks untuk wafer bump

Sun, 21 Jun 2026 01:44:38 +0800

Pada garisan pengeluaran 300mm, sisa fluks yang tinggal selepas proses pembentukan “bump” pada wafer bukan sekadar pencemaran biasa. Ia merupakan ancaman terhadap kebolehpercayaan produk tersebut. Proses penguapan yang tidak lengkap akan menyebabkan adanya rongga dan sambungan tidak sempurna antara komponen-komponen tersebut. Akibatnya, kadar bahan buangan akan meningkat, manakala beban haba yang diperlukan juga melebihi had yang ditetapkan. Sistem ini dibina untuk mengurangkan pembaziran sejak awal lagi.

Apa yang benar-benar penting
Sistem ini menggunakan gelombang inframerah pendek untuk memastikan proses penguapan fluks berlaku dengan cepat dan terkawal. Suhu di seluruh permukaan wafer dapat dipertahankan pada tahap ±0.1°C. Penggunaan pemanas jenis kuarsa memastikan penghasilan haba yang bersih tanpa zarah-zarah berkaitan. Selain itu, saluran pengudaraan sistem ini sesuai digunakan dalam bilik bersih kelas 1–100, agar tidak berlaku pencemaran di dalam bilik tersebut.

Lampu pemanas untuk pemprosesan wafer SiC

Fri, 19 Jun 2026 01:38:17 +0800

Dalam proses pemprosesan wafer SiC, wafer tersebut tidak boleh digunakan bersama dengan plat pemanas biasa. Proses pembakaran, proses pengerasan, dan proses penyembuhan selepas itu memerlukan haba yang diberikan secara cepat dan seragam, tanpa menyebabkan suhu wafer melebihi had yang ditetapkan. Jika keseragaman suhu terjejas, ia akan menyebabkan masalah seperti benjolan pada tepi wafer, perubahan bentuk wafer, dan hasil pengeluaran yang tidak konsisten, yang hanya akan dapat dikenal pasti setelah beberapa jam.

Apa yang penting dari segi teknikal
Kami menggunakan lampu pemanas khusus untuk pemprosesan wafer SiC yang menggunakan sinar inframerah berpanjang gelombang pendek untuk menghantar haba ke tempat yang tepat – iaitu pada permukaan wafer – tanpa memanaskan komponen lain atau dinding bilik pemprosesan. Masa tindak balasnya adalah dalam masa beberapa saat sahaja, dan keseragaman suhu pada permukaan wafer kekal antara ±0.1°C. Dengan cara ini, kawalan dimensi kritikal wafer dapat dipertahankan, dan hasil pengeluaran menjadi lebih konsisten setelah proses litografi selesai.

Elemen pemanas untuk proses oksidasi wafer

Wed, 17 Jun 2026 10:54:47 +0800

Di fasiliti pengeluaran, suhu yang dihasilkan oleh ketuhar oksidasi menentukan tahap integriti lapisan oksida pada seluruh wafer. Perubahan suhu sebanyak 1°C saja sudah cukup untuk menjadikan wafer yang berkualiti tinggi menjadi bahan buangan. Kami telah mereka unsur pemanas untuk proses oksidasi wafer ini agar variasi suhu dapat dikurangkan sepenuhnya.

Apa yang penting dari segi teknikal
Komponen utama dalam reka bentuk ini ialah susunan lampu kuarsa-halogen yang menghasilkan tenaga gelombang pendek secara langsung ke arah wafer. Ini memastikan keseragaman suhu sebanyak ±0.1°C di seluruh kawasan pemprosesan.