Lampu pemanas untuk pemprosesan wafer SiC

Fri, 19 Jun 2026 01:38:17 +0800

Dalam proses pemprosesan wafer SiC, wafer tersebut tidak boleh digunakan bersama dengan plat pemanas biasa. Proses pembakaran, proses pengerasan, dan proses penyembuhan selepas itu memerlukan haba yang diberikan secara cepat dan seragam, tanpa menyebabkan suhu wafer melebihi had yang ditetapkan. Jika keseragaman suhu terjejas, ia akan menyebabkan masalah seperti benjolan pada tepi wafer, perubahan bentuk wafer, dan hasil pengeluaran yang tidak konsisten, yang hanya akan dapat dikenal pasti setelah beberapa jam.

Apa yang penting dari segi teknikal
Kami menggunakan lampu pemanas khusus untuk pemprosesan wafer SiC yang menggunakan sinar inframerah berpanjang gelombang pendek untuk menghantar haba ke tempat yang tepat – iaitu pada permukaan wafer – tanpa memanaskan komponen lain atau dinding bilik pemprosesan. Masa tindak balasnya adalah dalam masa beberapa saat sahaja, dan keseragaman suhu pada permukaan wafer kekal antara ±0.1°C. Dengan cara ini, kawalan dimensi kritikal wafer dapat dipertahankan, dan hasil pengeluaran menjadi lebih konsisten setelah proses litografi selesai.

SiC on Warm IR Heater Warehouse

Lampu pemanas untuk pemprosesan wafer SiC