Wafer on Warm IR Heater Warehouse

Flusso di evaporazione per bump del wafer

Sun, 21 Jun 2026 01:44:38 +0800

Nella linea da 300 mm, i residui di flusso rimasti dopo la formazione delle “bump” sul wafer non rappresentano semplicemente una fonte di contaminazione: si tratta piuttosto di una minaccia per la affidabilità del prodotto. Un’evaporazione incompleta del flusso crea vuoti e connessioni indesiderate tra i vari elementi del wafer; di conseguenza, il tasso di scarti aumenta, mentre il bilancio termico viene superato. Abbiamo progettato questo sistema proprio per eliminare questi problemi fin dalle fasi iniziali.

Lampada riscaldante per il trattamento dei wafer in SiC

Fri, 19 Jun 2026 01:38:16 +0800

Sul campo di produzione, i wafer in SiC non sono compatibili con le piastre riscaldanti tradizionali. Per procedimenti di cottura delicata o intensiva, nonché per la fase di essiccazione successiva, è necessario un riscaldamento rapido e uniforme, senza che la temperatura superi i limiti consentiti dal wafer stesso. Quando l’uniformità della temperatura diminuisce, si verificano problemi come imperfezioni sulla superficie del wafer e scostamenti nel profilo dello stesso; tali problemi vengono rilevati soltanto dopo ore di analisi metrica.

Elemento riscaldante per ossidazione dei wafer

Wed, 17 Jun 2026 10:54:47 +0800

Nella fase di produzione, il bilancio termico del forno di ossidazione determina i parametri fondamentali per garantire l’integrità dell’ossido presente sulla superficie del wafer. Un cambiamento di temperatura di soli 1°C può trasformare un prodotto di qualità in uno scarto. Abbiamo progettato l’elemento di riscaldamento per eliminare questa variabilità.

Cosa è importante dal punto di vista tecnico
Il cuore del sistema è costituito da una serie di lampade ad olgio e alogeni, che forniscono energia a lunghezze d’onda corte direttamente sul wafer. Questo permette di ottenere una uniformità termica di ±0,1°C nell’intera zona di cottura.

Produttore cinese di essiccatori per wafer

Sun, 07 Jun 2026 00:55:13 +0800

Sul piano di produzione, una soft bake a 110°C con una deriva di ±1,5°C non è solo un parametro, è una perdita di resa in attesa di manifestarsi. Acqua residua, bordo a perline, collasso del pattern: questi problemi sorgono nel momento in cui il controllo termico si allenta. Serve un dryer che consideri il wafer come una condizione al contorno termica, non un altro batch da far passare.

Progettiamo wafer dryer basati su un trasferimento di calore ripetibile e sul controllo della contaminazione. Il cuore è costituito da infrarossi a onde corte, rapidi e direzionali, abbinati a una camera isolata in quarzo che mantiene la generazione di particelle al livello di base. L’uniformità della temperatura sul wafer resta entro ±0,1°C e la stabilità del setpoint si mantiene entro ±0,2°C durante lunghe bake. Il controllo delle ricette fissa tempo e temperatura, così il comportamento del photoresist è identico da lotto a lotto. Il sistema è classificato per cleanroom Classe 1–100, con scarico integrato HEPA e materiali selezionati per evitare fenomeni di outgassing.