Lampada riscaldante per il trattamento dei wafer in SiC

Fri, 19 Jun 2026 01:38:16 +0800

Sul campo di produzione, i wafer in SiC non sono compatibili con le piastre riscaldanti tradizionali. Per procedimenti di cottura delicata o intensiva, nonché per la fase di essiccazione successiva, è necessario un riscaldamento rapido e uniforme, senza che la temperatura superi i limiti consentiti dal wafer stesso. Quando l’uniformità della temperatura diminuisce, si verificano problemi come imperfezioni sulla superficie del wafer e scostamenti nel profilo dello stesso; tali problemi vengono rilevati soltanto dopo ore di analisi metrica.

SiC on Warm IR Heater Warehouse

Lampada riscaldante per il trattamento dei wafer in SiC