Lampu pemanas untuk proses pengolahan wafer SiC

Fri, 19 Jun 2026 01:38:17 +0800

Dalam proses pengolahan wafer SiC, wafer tersebut tidak cocok digunakan dengan pemanas biasa. Proses pemanggangan, pengeringan, dan pengerasan lapisan permukaan wafer membutuhkan panas yang diberikan secara cepat dan merata, tanpa membuat suhu wafer melebihi batasnya. Jika keseimbangan suhu tidak terjaga, maka akan terjadi perubahan bentuk permukaan wafer, sehingga kualitas produk menjadi buruk, dan hal ini baru akan diketahui setelah beberapa jam setelah proses pengolahan selesai.

Apa yang penting secara teknis? Kami menggunakan lampu pemanas khusus untuk memproses wafer SiC, yang menggunakan sinar inframerah berfrekuensi rendah untuk menghasilkan panas tepat di area yang dibutuhkan—yaitu pada permukaan wafer—tanpa memanaskan bagian lainnya. Responsnya sangat cepat, yaitu dalam hitungan detik, dan keseimbangan suhu di seluruh permukaan wafer tetap stabil, dalam rentang ±0,1°C. Dengan demikian, kontrol dimensi permukaan wafer tetap akurat, sehingga hasil pengolahan menjadi konsisten setelah proses litografi.

SiC on Warm IR Heater Warehouse

Lampu pemanas untuk proses pengolahan wafer SiC