Lampu pemanas untuk proses pengolahan wafer SiC

Fri, 19 Jun 2026 01:38:17 +0800

Dalam proses pengolahan wafer SiC, wafer tersebut tidak cocok digunakan dengan pemanas biasa. Proses pemanggangan, pengeringan, dan pengerasan lapisan permukaan wafer membutuhkan panas yang diberikan secara cepat dan merata, tanpa membuat suhu wafer melebihi batasnya. Jika keseimbangan suhu tidak terjaga, maka akan terjadi perubahan bentuk permukaan wafer, sehingga kualitas produk menjadi buruk, dan hal ini baru akan diketahui setelah beberapa jam setelah proses pengolahan selesai.

Apa yang penting secara teknis? Kami menggunakan lampu pemanas khusus untuk memproses wafer SiC, yang menggunakan sinar inframerah berfrekuensi rendah untuk menghasilkan panas tepat di area yang dibutuhkan—yaitu pada permukaan wafer—tanpa memanaskan bagian lainnya. Responsnya sangat cepat, yaitu dalam hitungan detik, dan keseimbangan suhu di seluruh permukaan wafer tetap stabil, dalam rentang ±0,1°C. Dengan demikian, kontrol dimensi permukaan wafer tetap akurat, sehingga hasil pengolahan menjadi konsisten setelah proses litografi.

Pemanas untuk proses pembuatan baterai tipe solid state

Thu, 18 Jun 2026 00:36:17 +0800

Dalam proses pembuatan baterai berbasis solid-state ini, diperlukan kontrol termal yang sangat ketat, sebanding dengan toleransi yang ada pada wafer tersebut. Jika proses pemanasan tidak dilakukan secara tepat, atau terdapat area dingin di permukaan substrat, maka kualitas hasil produksi akan menurun, dan lapisan antarmuka pun akan mengalami kerusakan. Kami membuat alat pemanas khusus untuk memastikan setiap tahap proses berlangsung dalam rentang suhu yang ditentukan.

Hal-hal penting secara teknis
Kami menggunakan sinar inframerah berfrekuensi tinggi beserta pemancar kuarsa yang responsif cepat untuk memindahkan panas langsung ke substrat. Di zona aktif, tingkat keseragaman suhu tetap stabil pada ±0,1°C, sedangkan tingkat repetibilitas antara setiap siklus pemrosesan tetap di bawah ±0,5°C. Sistem ini dapat beroperasi di ruang bersih kelas 1–100 tanpa menimbulkan partikel kotor, dan hal ini telah kami pastikan melalui pengujian secara langsung. Profil fotorezistan tetap konsisten sepanjang proses pemanasan, dan waktu pengeringan dapat dikontrol dengan presisi tinggi—tanpa adanya penyimpangan akibat proses pemanasan yang berkepanjangan.

Memproses on Warm IR Heater Warehouse

Lampu pemanas untuk proses pengolahan wafer SiC

Pemanas untuk proses pembuatan baterai tipe solid state