Lampe chauffante pour le traitement des wafers en SiC

Fri, 19 Jun 2026 01:38:16 +0800

En pratique, les wafer en SiC ne s’adaptent pas bien aux plaques chauffantes standards. Que ce soit pour un séchage doux, un séchage intense ou une cuisson ultérieure, il est nécessaire d’avoir une chaleur intense et uniforme, sans pour autant dépasser la capacité thermique du wafer. Lorsque l’uniformité de la température est compromise, on observe des problèmes tels que des difformités aux bords du wafer ou des variations de profil ; ces problèmes ne se manifestent que plusieurs heures après le traitement, lors des mesures de qualité.

Chauffage pour le traitement des batteries à état solide

Thu, 18 Jun 2026 00:36:17 +0800

Dans ce processus, le séchage des wafers, le pré-cuisson du photorésistant et la durcissement des couches d’interface se déroulent en série. Les émetteurs infrarouges à réponse rapide permettent de transférer rapidement de la chaleur vers le substrat. Dans la zone active, l’uniformité atteint ±0,1 °C, tandis que la reproductibilité d’une séance à l’autre reste inférieure à ±0,5 °C. Le système fonctionne dans des chambres propres de classe 1–100, sans ajout de particules. Les profils du photorésistant restent constants tout au long du processus, et les temps de durcissement sont contrôlés avec précision – sans dérive due à des rampes de température trop longues.

Traitement on Warm IR Heater Warehouse

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