Verarbeitung on Warm IR Heater Warehouse

Heizlampe für den Prozess der SiC Wafernbearbeitung

Fri, 19 Jun 2026 01:38:16 +0800

In der Praxis funktionieren SiC-Wafern nicht gut mit herkömmlichen Heizplatten. Für den weichen Backvorgang, den harten Backvorgang sowie die Nachbehandlung ist eine schnelle und gleichmäßige Wärmeeinwirkung erforderlich – ohne dass die Wafer ihre thermischen Grenzen überschreiten. Wenn die Temperaturgleichmäßigkeit leidet, entstehen Probleme wie Unebenheiten an den Rändern der Wafer sowie Abweichungen im Profil. Solche Probleme werden erst Stunden später durch Messungen festgestellt.

Was technisch wichtig ist: Wir verwenden eine Heizlampe für die Verarbeitung von SiC-Wafern, die kurzwelliges Infrarotlicht verwendet, um die Wärme genau dort zu erzeugen, wo sie benötigt wird – auf der Oberfläche des Wafers. Dadurch werden nicht die Trägerstrukturen oder die Wände der Kammer erhitzt. Die Reaktionszeit beträgt weniger als eine Sekunde, und die Temperaturgleichmäßigkeit auf der Waferoberfläche liegt bei ±0,1 °C. In der Praxis sorgt das dafür, dass die Kontrolle über die kritischen Abmessungen konstant bleibt und ein reproduzierbares Profil nach der Lithografie erreicht wird.

Heizer für den Prozess der Herstellung von Solid State Batterien

Thu, 18 Jun 2026 00:36:17 +0800

Bei der Herstellung von Solid-State-Batterien ist eine genaue Temperaturregelung unerlässlich – genauso wie bei den Toleranzen der Wafer. Selbst geringfügige Abweichungen bei der Wärmeeinwirkung oder kühle Stellen auf dem Substrat können dazu führen, dass die Leistungsfähigkeit der Batterien sinkt und in den Übergangsschichten Defekte entstehen. Wir haben diesen Heizer entwickelt, um sicherzustellen, dass jede Schritt im Prozess innerhalb der vorgegebenen Temperaturgrenzen bleibt.

Was technisch wichtig ist: Wir nutzen Kurzwellen-Infrarotstrahlung sowie schnell reagierende Quarzemitter, um die Wärme direkt ins Substrat zu leiten. In der aktiven Zone bleibt die Homogenität des Substrats bei ±0,1 °C, und die Wiederholgenauigkeit zwischen den einzelnen Prozessschritten liegt bei unter ±0,5 °C. Das System kann in Reinräumen der Klasse 1–100 betrieben werden, ohne dass Partikel entstehen. Die Profile des Fotolacks bleiben von der Anfangsbehandlung bis zur Endbehandlung konstant, und die Aushärtungszeiten werden mit Millisekundenpräzision gesteuert – es gibt keine Abweichungen durch lange Anlaufzeiten.