Heizlampe für den Prozess der SiC Wafernbearbeitung

Fri, 19 Jun 2026 01:38:16 +0800

In der Praxis funktionieren SiC-Wafern nicht gut mit herkömmlichen Heizplatten. Für den weichen Backvorgang, den harten Backvorgang sowie die Nachbehandlung ist eine schnelle und gleichmäßige Wärmeeinwirkung erforderlich – ohne dass die Wafer ihre thermischen Grenzen überschreiten. Wenn die Temperaturgleichmäßigkeit leidet, entstehen Probleme wie Unebenheiten an den Rändern der Wafer sowie Abweichungen im Profil. Solche Probleme werden erst Stunden später durch Messungen festgestellt.

Was technisch wichtig ist: Wir verwenden eine Heizlampe für die Verarbeitung von SiC-Wafern, die kurzwelliges Infrarotlicht verwendet, um die Wärme genau dort zu erzeugen, wo sie benötigt wird – auf der Oberfläche des Wafers. Dadurch werden nicht die Trägerstrukturen oder die Wände der Kammer erhitzt. Die Reaktionszeit beträgt weniger als eine Sekunde, und die Temperaturgleichmäßigkeit auf der Waferoberfläche liegt bei ±0,1 °C. In der Praxis sorgt das dafür, dass die Kontrolle über die kritischen Abmessungen konstant bleibt und ein reproduzierbares Profil nach der Lithografie erreicht wird.

SiC on Warm IR Heater Warehouse

Heizlampe für den Prozess der SiC Wafernbearbeitung