<?xml version="1.0" encoding="utf-8" standalone="yes"?>
<rss version="2.0" xmlns:atom="http://www.w3.org/2005/Atom">
	<channel>
		<title>Processing on Warm IR Heater Warehouse</title>
		<link>http://warm-ir-heater-warehouse.com/cs/tags/processing/</link>
		<description>Recent content in Processing on Warm IR Heater Warehouse</description>
		<generator>Hugo</generator>
		<language>cs</language>
		
		
		
		
			<lastBuildDate>Fri, 19 Jun 2026 01:38:18 +0800</lastBuildDate>
		
			<atom:link href="http://warm-ir-heater-warehouse.com/cs/tags/processing/index.xml" rel="self" type="application/rss+xml" />
			<item>
				<title>Zahřívací lampa pro zpracování destiček SiC</title>
				<link>http://warm-ir-heater-warehouse.com/cs/posts/sic-wafer-processing-heater-lamp/</link>
				<pubDate>Fri, 19 Jun 2026 01:38:18 +0800</pubDate>
				<guid>http://warm-ir-heater-warehouse.com/cs/posts/sic-wafer-processing-heater-lamp/</guid>
				<description>&lt;p&gt;&lt;img src=&#34;http://warm-ir-heater-warehouse.com/images/eeeb9669114c0c0a0b2bef3f902d01a9.png&#34; alt=&#34;Zahřívací lampa pro zpracování destiček SiC&#34;&gt;&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;V praxi se wafery z materiálu SiC nehodí k použití s běžnými topnými deskami. Pro procesy měkkého pečení, tvrdého pečení a následného vytvrzení je potřeba rychlé a rovnoměrné zahřátí, aniž by došlo k překročení teplotních limitů wafery. Pokud dojde ke změnám v rovnoměrnosti teploty, vznikají problémy jako např. nerovnosti na povrchu wafery či odchylky v jejím profilu. Tyto problémy se projeví až po hodinách měření.&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;&lt;strong&gt;Co je z technického hlediska důležité&lt;/strong&gt;&lt;br&gt;&#xA;Používáme ohřívací lampu určenou k zpracování wafery z materiálu SiC, která využívá krátkovlnné infračervené záření k přenosu tepla přímo na povrch wafery – na vrstvu rezistu a samotný povrch wafery – aniž by se zahřívaly nosiče nebo stěny komory. Reakce lampy je rychlá – za méně než sekundu – a rovnoměrnost teploty na povrchu wafery zůstává v &lt;a href=&#34;https://o-yate.com&#34;&gt;rozmez&lt;/a&gt;í ±0,1 °C v celé aktivní oblasti. V praxi to zajišťuje konzistentní kontrolu &lt;a href=&#34;https://henruite.com&#34;&gt;kritick&lt;/a&gt;ých rozměrů a umožňuje dosažení opakovatelných výsledků po litografii.&lt;/p&gt;</description>
			</item>
			<item>
				<title>Ohřívač pro zpracování baterií s pevnými články</title>
				<link>http://warm-ir-heater-warehouse.com/cs/posts/solid-state-battery-processing-heater/</link>
				<pubDate>Thu, 18 Jun 2026 00:36:17 +0800</pubDate>
				<guid>http://warm-ir-heater-warehouse.com/cs/posts/solid-state-battery-processing-heater/</guid>
				<description>&lt;p&gt;&lt;img src=&#34;http://warm-ir-heater-warehouse.com/images/e359da41a435291bc4b653b358552252.png&#34; alt=&#34;Ohřívač pro zpracování baterií s pevnými články&#34;&gt;&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;Při výrobě baterií s pevnými články je potřeba velmi přesná kontrola teploty – stejně jako u tolerancí samotných desek. I malá chyba při zahřívání může mít negativní dopad na kvalitu výsledku, stejně jako chladná oblast na podkladové desce. To zase ovlivňuje kvalitu výstupu a vznikají defekty na mezivrstvách. Vytvořili jsme tento ohřívač speciálně pro zpracování baterií s pevnými články, aby bylo možné udržet každý krok v rámci stanovených teplotních parametrů.&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;&lt;strong&gt;Co je technicky důležité&lt;/strong&gt;&lt;br&gt;&#xA;Využíváme krátkovlnné infračervené záření s rychle reagujícími kvartovými emitorami, které přenášejí teplo přímo do podkladové desky. V aktivní zóně zůstává rovnoměrnost teploty na úrovni ±0,1 °C, přičemž opakovanost procesu zůstává pod ±0,5 °C. Systém funguje v prostředích s úrovní čistoty Class 1–100 bez vzniku částic, což ověřujeme přímo v provozu. Profily fotoresistů zůstávají konzistentní od počátečního zahřívání až po dokonalé vyschnutí, přičemž doba zahřívání je kontrolována s přesností na milisekundy – bez jakýchkoliv odchylek.&lt;/p&gt;</description>
			</item>
	</channel>
</rss>
